RB168L100DDTE25-HXY

RB168L100DDTE25-HXY

描述

该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，反向漏电流（IR）不超过100μA，体现出优异的导通效率与低漏电特性。器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频开关电源、直流-直流转换器、电池供电设备及各类对能效和热管理有较高要求的电子电路中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

RB168L100DDTE25-HXY

商品编号

C52988590

商品封装

SMA​

包装方式

编带

商品毛重

0.0825克(g)