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TPDMN26D0UFB4
N沟道沟槽MOSFET，具备栅源ESD保护、高端开关、低导通电阻、低阈值和快速开关速度等特性，符合RoHS标准且无卤
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- 品牌名称
- YTL(亚特联)
- 商品型号
- TPDMN26D0UFB4
- 商品编号
- C52976697
- 商品封装
- SOD-883
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.00968克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 750pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品特性
- 功率MOSFET:额定电压1.8 V
- 栅源极静电放电保护
- 高端开关
- 低导通电阻:0.2 Ω
- 低阈值:0.8 V(典型值)
- 快速开关速度:10 ns
- 我们声明产品材料符合RoHS要求且无卤素。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力。
应用领域
- 驱动器:继电器、螺线管、灯具、锤击器、显示器、存储器。
- 电池供电系统
- 电源转换电路
- 负载/电源开关 手机、寻呼机
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