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LMG2650RFBR

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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
LMG2650RFBR
商品编号
C52955637
商品封装
VQFN-19(6x8)​
包装方式
编带
商品毛重
6.266667克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

LMG2650 是一款 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半桥。LMG2650 通过在 6mm × 8mm QFN 封装中集成半桥功率 FET、栅极驱动器、自举 FET 和高侧栅极驱动电平转换器,可简化设计、减少元件数量并缩减布板空间。可编程导通压摆率可实现 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比,低侧电流检测仿真可降低功耗,并允许将低侧散热焊盘连接到 PCB 电源地。可通过低侧参考栅极驱动引脚 (INH) 或高侧参考栅极驱动引脚 (GDH) 控制高侧 GaN 功率 FET。在具有挑战性的电源开关环境中,高侧栅极驱动信号电平转换器能够可靠地将 INH 引脚信号传输到高侧栅极驱动器。智能开关 GaN 自举 FET 没有二极管正向压降,可避免高侧电源过充,并且反向恢复电荷为零。LMG2650 具有低静态电流和快速启动时间,可满足转换器轻负载效率要求,并实现突发模式运行。保护特性包括 FET 导通互锁、欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热关断。超低压摆率设置支持电机驱动应用。

商品特性

  • GaN 功率 FET 半桥:650V
  • 低侧和高侧 GaN FET: 95mΩ
  • 具有低传播延迟的集成栅极驱动器:< 100ns
  • 可编程导通压摆率控制
  • 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
  • 低侧参考 (INH) 和高侧参考 (GDH) 高侧栅极驱动引脚
  • 低侧 (INL) 和高侧 (INH) 栅极驱动互锁
  • 高侧 (INH) 栅极驱动信号电平转换器
  • 智能开关自举二极管功能
  • 高侧启动:<8µs
  • 低侧和高侧逐周期过流保护
  • 过热保护
  • AUX 空闲静态电流:250μA
  • AUX 待机静态电流:50μA
  • BST 空闲静态电流:70μA
  • 具有双散热焊盘的 6mm × 8mm QFN 封装

应用领域

  • 移动式壁式充电器设计
  • USB 墙壁电源插座
  • 交流/直流辅助电源
  • 电机驱动器