IRS23365DMTRPBF

IRS23365DM是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，具有三个高端和三个低端参考输出通道，适用于三相应用。该IC设计用于低成本自举电源；自举二极管功能已集成到该器件中，以减少元件数量和PCB尺寸。采用了专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术，具有坚固的单片结构。浮动逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容（低至3.3V逻辑）。可通过外部电流检测电阻实现终止所有六个输出的电流跳闸功能。具备使能功能，可同时终止所有六个输出。提供漏极开路FAULT信号，以指示发生了故障（如过流、过温或欠压关断事件）。故障条件会在通过连接到RCIN输入的RC网络外部编程的延迟时间后自动清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。该IC集成了直通保护电路和最小死区时间电路。匹配了传播延迟，以简化HVIC在高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，其工作电压最高可达600V。

• 可驱动多达六个IGBT/MOSFET功率器件
• 每通道栅极驱动电源最高可达20V
• 集成自举功能
• 过流保护
• 过温关断输入
• 先进的输入滤波器
• 集成死区时间保护、直通（交叉导通）保护
• VCC和VBS欠压锁定
• 使能/禁用输入和故障报告
• 可调故障清除时间
• 独立的逻辑地和功率地
• 3.3V输入逻辑兼容
• 耐受负瞬态电压
• 设计用于自举电源
• 所有通道的传播延迟匹配
• 工作温度范围为-40℃至125℃
• 符合RoHS标准
• 无铅

• 家电电机驱动器
• 伺服驱动器
• 微型逆变器驱动器
• 通用三相逆变器