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IRFSL5615PBF
1个N沟道 耐压:150V 电流:33A
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- 描述
- 这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFSL5615PBF
- 商品编号
- C538049
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6496克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 144W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术、采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 针对D类音频放大器应用优化关键参数
- 低 RDSON,提高效率
- 低 QG 和 QSW,改善THD并提高效率
- 低 QRR,改善THD并降低EMI
- 175°C工作结温,增强耐用性
- 在半桥配置放大器中,每通道可向4Ω负载提供高达300W的功率
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-低端负载开关-开关电路