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IPG20N06S2L-65
2个N沟道 耐压:55V 电流:20A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPG20N06S2L-65
- 商品编号
- C536944
- 商品封装
- TDSON-8-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 65mΩ@10V,15A | |
| 功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2V@14uA |
商品特性
- 用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
- N沟道 - 增强模式 - 逻辑电平
- 潮湿敏感度等级1（MSL1），最高260°C峰值回流温度
- 175°C工作温度
- 绿色产品（符合RoHS标准）
- 100%雪崩测试