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MDDG06R10Q
MDDG06R10Q
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- 描述
- 60V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDDG06R10Q
- 商品编号
- C52754283
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道MOSFET采用MDD半导体先进的功率沟槽工艺技术制造。该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 20 A时,最大RDS(on) = 10 m Ω
- 极低的反向恢复电荷Qrr
- 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电机驱动器和不间断电源-微型太阳能逆变器-直流到直流转换器