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MDDG06R10Q
N沟道增强型MOSFET，采用先进功率沟槽工艺和屏蔽栅技术
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- 描述
- 60V N通道增强模式MOSFET
- 品牌名称
- MDD(辰达半导体)
- 商品型号
- MDDG06R10Q
- 商品编号
- C52754283
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.095006克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用MDD半导体的先进功率沟槽工艺制造,该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺经过优化,可将导通电阻降至最低,同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 20 A时,最大RDS(on) = 10 m Ω
- 极低的反向恢复电荷Qrr
- 经过100%单脉冲雪崩耐量(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-ATX/服务器/电信电源的同步整流-电机驱动器和不间断电源-微型太阳能逆变器-直流到直流转换器