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MKDN512GCL-ZC

512Gb SD NAND 商业级

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描述: SD NAND Flash类型:TLC, 512Gbit(64GByte),工作温度 -25°C to +85°C，广泛适配在各大MCU平台上；支持1.8v/3.3v IO电压，别名SDNAND、贴片式TF卡,内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能;
品牌名称: MK(米客方德)
商品型号: MKDN512GCL-ZC
商品编号: C52753986
商品封装: LGA-16(9x13)
包装方式: 托盘
商品毛重: 3.151754克(g)

商品参数

商品概述

MK Nano SD NAND 是一款采用 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作方式类似于 SD 卡，属于商用等级。Nano SD NAND 由 NAND 闪存和一个高性能控制器组成。NAND 区域 (VCC) 需要 3.3V 供电电压。Nano SD NAND 完全兼容 SD6.1 接口，这使得大多数通用 CPU 能够利用它。Nano SD NAND 具有高性能、高质量和低功耗的特点。MK 的 SD NAND 系列包含一个板载智能控制器，用于管理接口协议；内容保护的安全算法；数据存储和检索，以及错误校正码(ECC)算法；缺陷处理；电源管理；磨损均衡和时钟控制。

商品特性

支持高达 208MHz 时钟频率
支持 SPI 模式
内置硬件 ECC 引擎和高可靠性 NAND 管理机制
高级热管理功能，可在扩展温度范围内最大化性能和数据保护
静态、动态和全局磨损均衡
坏块管理、智能垃圾回收以及支持交错、缓存和多平面编程
读干扰管理和动态数据刷新
一流的电源故障管理

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	512Gbit
	接口类型	SD接口
	时钟频率(fc)	208MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-25℃~+85℃
	待机电流	90uA
	擦写寿命	-
	功能特性	坏块管理功能；ECC纠错功能
	ECC	有