温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CD15RN06M
N沟道MOSFET，具备快速开关、低栅极电荷和导通电阻特性，适用于DC-DC转换器和负载开关
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- N沟槽场效应晶体管
- 品牌名称
- ChipNobo(无边界)
- 商品型号
- CD15RN06M
- 商品编号
- C52754124
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |