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FS35R12W1T4
IGBT模块
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- 描述
- 特性：低开关损耗。 Trench IGBT 4。 VcEsat 具有正温度系数。 低 VcEsat。 Al₂O₃ 基板，热阻低。 紧凑设计。应用：空调。 电机驱动
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FS35R12W1T4
- 商品编号
- C535494
- 商品封装
- 插件,62.8x33.8mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 49.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 65A | |
| 耗散功率(Pd) | 225W | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.25V@35A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@1.2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Cies) | 2nF@25V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 25ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 32ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.55mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.05mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | - |