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FS50R12W1T7_B11
IGBT模块
- 描述
- 特性：低 VcEsat。 Trenchstop™ IGBT7。 高达 175℃ 的过载运行。 2.5 kV 交流 1 分钟绝缘。 Al₂O₃ 低热阻基板。 高功率密度。应用：辅助逆变器。 空调
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FS50R12W1T7_B11
- 商品编号
- C535535
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 22.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 100A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V@50A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.15V@1.28mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Cies) | 11.1nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 45ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 270ns | |
| 导通损耗(Eon) | 4.44mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 3.35mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 反向传输电容(Cres) | 0.039nF |