- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSZ900N20NS3 G-VB
N沟道；电压：200V；电流：18A；导通电阻：66(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSZ900N20NS3 G-VB
- 商品编号
- C52711355
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 175°C结温
- SGT技术功率MOSFET
- 符合RoHS标准
- DFN 3x3封装
- N沟道MOSFET
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