- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SiSS94DN-VB
N沟道；电压：200V；电流：18A；导通电阻：66(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SiSS94DN-VB
- 商品编号
- C52711360
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 175°C 结温
- SGT 技术功率 MOSFET
- 符合 RoHS 标准
- DFN 3x3 封装
- N 沟道 MOSFET
- SiSS98DN-VB
- VBGQF1208N
- ISZ080N10NM6-VB
- BSZ096N10LS5-VB
- BSZ146N10LS5-VB
- ISZ113N10NM5LF2-VB
- IAUZ40N10S5N130ATMA1-VB
- BSZ146N10LS5ATMA1-VB
- BSZ097N10NS5ATMA1-VB
- BSZ096N10LS5ATMA1-VB
- IAUZ40N10S5L120ATMA1-VB
- ISZ0804NLSATMA1-VB
- ISZ113N10NM5LFATMA1-VB
- SiSS42DN-VB
- SiSS42LDN-VB
- SiSS46DN-VB
- SiSS5108DN-VB
- SiSS5110DN-VB
- SiSS5112DN-VB
- SQS110ENW-VB
- NVTFWS010N10MCLTAG-VB
- SiSS98DN-VB
- VBGQF1208N
- ISZ080N10NM6-VB
- BSZ096N10LS5-VB
- BSZ146N10LS5-VB
- ISZ113N10NM5LF2-VB
- IAUZ40N10S5N130ATMA1-VB
- BSZ146N10LS5ATMA1-VB
- BSZ097N10NS5ATMA1-VB
- BSZ096N10LS5ATMA1-VB
- IAUZ40N10S5L120ATMA1-VB
- ISZ0804NLSATMA1-VB
- ISZ113N10NM5LFATMA1-VB
- SiSS42DN-VB
- SiSS42LDN-VB
- SiSS46DN-VB
- SiSS5108DN-VB
- SiSS5110DN-VB
- SiSS5112DN-VB
- SQS110ENW-VB
- NVTFWS010N10MCLTAG-VB