- 引脚图
- 焊盘图
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FP15R12W1T4P_B11
FP15R12W1T4P_B11
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- 描述
- IGBT模块
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FP15R12W1T4P_B11
- 商品编号
- C533993
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 15A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 30A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.15V；2.25V；1.85V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 890pF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 30pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 55ns；55ns；55ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 275ns；280ns；195ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.75mJ；1.3mJ；1.95mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 830uJ；1.2mJ；1.35mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |