AUIRFZ24NSTRL
1个N沟道 耐压:55V 电流:17A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRFZ24NSTRL
- 商品编号
- C533438
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.8W;45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计,采用了最新的加工技术,以实现单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为汽车应用及各种其他应用中极其高效且可靠的器件。
商品特性
- 先进的平面技术
- 低导通电阻
- 动态dV/dT和dI/dT能力
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 允许在最高结温Tjmax下进行重复雪崩
- 无铅,符合RoHS标准
- 通过汽车级认证
应用领域
- 汽车应用
