AUIRFR4292TRL
1个N沟道 耐压:250V 电流:9.3A
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- 描述
- 专为汽车应用设计,该HEXFET功率MOSFET采用最新加工技术,以实现每单位硅面积极低的导通电阻。此设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效且可靠的器件。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRFR4292TRL
- 商品编号
- C533343
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 包装方式
- -
- 商品毛重
- 0.65克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 275mΩ@10V,5.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 705pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
