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AUIRFR4292TRL

1个N沟道 耐压:250V 电流:9.3A

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描述
专为汽车应用设计,该HEXFET功率MOSFET采用最新加工技术,以实现每单位硅面积极低的导通电阻。此设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效且可靠的器件。
商品型号
AUIRFR4292TRL
商品编号
C533343
商品封装
DPAK(TO-252AA)​
包装方式
-
商品毛重
0.65克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)9.3A
导通电阻(RDS(on))275mΩ@10V,5.6A
耗散功率(Pd)100W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)20nC@10V
输入电容(Ciss)705pF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+175℃

数据手册PDF