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AUIRFR540Z

1个N沟道 耐压:100V 电流:35A

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描述
专门为汽车应用设计,采用最新处理技术,实现每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起,使该设计成为汽车应用和各种其他应用中极其高效和可靠的器件。
商品型号
AUIRFR540Z
商品编号
C533353
商品封装
DPAK(TO-252AA)​
包装方式
编带
商品毛重
0.885克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))22.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)91W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)39nC
输入电容(Ciss)1.69nF
反向传输电容(Crss)100pF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款HEXFET功率MOSFET专为汽车应用而设计,采用了最新的加工技术,以实现单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合,使该设计成为汽车应用及各种其他应用中极为高效且可靠的器件。

应用领域

-自动电压调节器(AVR)-电磁阀喷油-车身控制-低功率汽车应用

数据手册PDF