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PE5E4BA
N沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 特性：无铅、无卤且符合RoHS标准。 低RDS(ON)以最小化传导损耗。 欧姆区域具有良好的RDS(ON)比率。 优化的栅极电荷以最小化开关损耗。应用：保护电路应用。 逻辑/负载开关电路应用
- 品牌名称
- NIKO-SEM(尼克森)
- 商品型号
- PE5E4BA
- 商品编号
- C532972
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 530pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
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