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MDES14N045RH
MDES14N045RH
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- 品牌名称
- MagnaChip
- 商品型号
- MDES14N045RH
- 商品编号
- C4944866
- 商品封装
- D2PAK-7L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 135V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 123nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 9.267nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 923pF |
商品概述
MDES14N045RH是Magnachip最新一代的中压MOSFET技术产品，它在最低导通电阻（Rds(on)）、快速开关性能和卓越品质方面表现出色。 这些器件还可用于工业应用，如电动自行车的低功率驱动器、轻型电动汽车、DC/DC转换器以及通用应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 135 V
- 当栅源电压（VGS） = 10 V时，漏极电流（ID） = 180 A
- 极低的导通电阻：当栅源电压（VGS） = 10 V时，RDS(ON) < 4.5 mΩ
- 工作温度可达175°C
- 100%经过单脉冲雪崩能量（UI L）测试
- 100%经过栅极电阻（Rg）测试
- 100%经过漏源电压变化（△VDS）测试
应用领域
- 电动自行车的低功率驱动器
- 轻型电动汽车
- DC/DC转换器
- 通用应用