- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BUK9Y2R4-40H,115-VB
N沟道；电压：40V；电流：150A；导通电阻：0.7(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BUK9Y2R4-40H,115-VB
- 商品编号
- C52209271
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.65nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品特性
- SGT功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
-同步整流-电源
- BUK9Y2R4-40HX-VB
- PSMN5R8-40YS,115-VB
- PSMN3R2-30YLC,115-VB
- PSMNR58-30YLHX-VB
- PSMN8R3-40YS,115-VB
- PSMN1R2-30YLDX-VB
- BUK9J0R9-40HX-VB
- PMT560ENEAX-VB
- PMT560ENEA,115-VB
- BSP126/S911115-VB
- BSP130-VB
- BUK9880-55/CU135-VB
- BUK98150-55A/CU135-VB
- BUK78150-55A/CU135-VB
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- PMGD175XNE-VB
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