- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMF63UNE-VB
N沟道；电压：20V；电流：4A；导通电阻：36(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMF63UNE-VB
- 商品编号
- C52209292
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-便携式设备-负载开关-电池开关-电机、继电器和螺线管的负载开关
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