- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PMV65UNER-VB
N沟道；电压：20V；电流：6A；导通电阻：28(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- PMV65UNER-VB
- 商品编号
- C52209118
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直流-直流(DC/DC)转换器
- 便携式应用的负载开关