- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS84AKW/DG/B2215-VB
P沟道；电压：-60V；电流：-0.5A；导通电阻：3000(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- BSS84AKW/DG/B2215-VB
- 商品编号
- C52209149
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 460mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 无卤素 根据 LEC 61249-2-21 标准规定定义
- 耐压型功率 MOSFET
- 高侧开关
- 低电阻值：3 Ω
- 低阈值：-2 V（典型值）
- 快速切换速度：20 ns（典型值）
- 低输入电容：20 pF（典型值）
- 符合 2002/95/EC 号《关于限制在电子电气设备中使用某些有害物质的指令》