FZT955
PNP硅平面高电流高性能晶体管,低饱和电压,增益特性出色
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- FZT955
- 商品编号
- C52200675
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 140V;170V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 直流电流增益(hFE) | 10;140;200 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 110MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 110mV;275mV;70mV;30mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 8V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 4安培连续电流(10安培峰值电流)
- 极低的饱和电压
- 优异的增益特性,指定工作电流高达3安培
- P_tot = 3 watts


