- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP4N15MI
150V N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用
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- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- AP4N15MI
- 商品编号
- C52200676
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AP4N15MI采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且可在低至6V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 150V,ID = 4A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 280mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源