温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
AP4N15MI
参数完善中
AP4N15MI采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且可在低至6V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
本网站需要JavaScript才能正常运行。请在浏览器设置中启用JavaScript。