- 引脚图
- 焊盘图
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3080K-TD
N沟道MOSFET，低栅极电荷、低输入电容、快速开关
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：60W
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- 3080K-TD
- 商品编号
- C52195490
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.427025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.773nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 171pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低栅极电荷
- 低输入电容(Ciss)
- 快速开关
应用领域
- 交直流快速充电器的同步整流
- 电池管理
- 不间断电源(UPS)