- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TSP51N25MSD
采用先进平面条纹DMOS技术的N沟道快速恢复功率MOSFET，具备低导通电阻、出色开关性能和抗雪崩能力
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 快恢复MOS，TO-220，N沟道，51N25，250V，51A，0.083Ω（Max）
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSP51N25MSD
- 商品编号
- C52175135
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.171nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 482pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导体(Truesemi)先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。
商品特性
- -51A,250V,最大导通电阻RDS(on)=83mΩ
- 低栅极电荷:Qg = 84nC(典型值)
- 低反向传输电容:Crss = 49 pF(典型值)
- 超快体二极管
- 符合RoHS标准的器件
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- DC-DC 转换器
- 电源管理功能
- 同步整流应用