- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TSK50N30MSD
采用先进平面条纹DMOS技术的N沟道快速恢复功率MOSFET，具备低导通电阻、卓越开关性能和抗雪崩能力
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- 描述
- 快恢复MOS，TO-247，N沟道，50N30，38N30,36N30,300V，50A，0.084Ω（Max）
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSK50N30MSD
- 商品编号
- C52175136
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 108nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.237nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 556pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导体(Truesemi)先进的平面条形DMOS技术制造。 该先进技术经过特别设计,可最大程度降低导通电阻,提供卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。
商品特性
- 50A,300V,最大RDS(on)=84mΩ
- @ VGS =10V
- 超快体二极管
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS标准的器件