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NVMFS5A140PLZT1G-HXY
NVMFS5A140PLZT1G-HXY
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- 描述
- 该P沟道场效应管（MOSFET）具有40V漏源耐压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.1mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。P沟道结构适用于高边开关配置，简化驱动电路设计。其高电流承载能力和低功耗特性，使其适合用于大功率直流电源转换、电池管理系统及多相电压调节模块中。可广泛应用于高性能计算设备、通信电源单元、储能装置以及便携式高功率电子设备的功率控制电路，支持紧凑化与高能效设计需求。
- 商品型号
- NVMFS5A140PLZT1G-HXY
- 商品编号
- C52174746
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.162克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
该器件采用了全新的先进沟槽技术，具有较低的栅极电荷量，同时保持了较低的导通电阻。 该器件针对开关应用进行了优化，提高了直流/直流转换器的整体效率，并允许在更高的开关频率下运行。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -35A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 15毫欧
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 26毫欧
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- LCD显示器的DC/DC转换器