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NVMFS5A140PLZT1G-HXY
P沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和开关应用
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- 描述
- 该P沟道场效应管（MOSFET）具有40V漏源耐压（VDSS）和100A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3.1mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。P沟道结构适用于高边开关配置，简化驱动电路设计。其高电流承载能力和低功耗特性，使其适合用于大功率直流电源转换、电池管理系统及多相电压调节模块中。可广泛应用于高性能计算设备、通信电源单元、储能装置以及便携式高功率电子设备的功率控制电路，支持紧凑化与高能效设计需求。
- 商品型号
- NVMFS5A140PLZT1G-HXY
- 商品编号
- C52174746
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.162克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 195nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 10.733nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 697pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 770pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
NVMFS5A140PLZT1G采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -40 V \quad ID = -100 A
- RDS(ON) < 4.1 mΩ VGS = -10V
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源