- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RS1G32LV4D2BDS-53BT
RS1G32LV4D2BDS-53BT
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- 品牌名称
- Rayson(晶存)
- 商品型号
- RS1G32LV4D2BDS-53BT
- 商品编号
- C52145900
- 商品封装
- FBGA-200(10x14.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 1.866GHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 570mV~650mV | |
| 功能特性 | - | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ |
商品特性
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；1.80 V 标称值
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V；1.10 V 标称值
- VDDQ = 1.06 - 1.17 V；1.10 V 标称值 或 低 VDDQ = 0.57 - 0.65 V；0.60 V 标称值
- 超低电压核心与输入/输出电源
- 频率范围：1866-10 MHz（数据速率范围：每引脚 3733-20 Mb/s）
- 16位预取 DDR 架构
- 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
- 单数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道支持双向/差分数据选通
- 可编程读取和写入延迟
- 可编程及动态突发长度
- 定向每存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度
- 每芯片最高 8.5 GB/s 带宽
- 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止能力
- 符合 RoHS 标准的“绿色”封装
- 可编程 VSS 终端电阻
- 支持单端时钟和数据选通
- 改进的 tRFCab / tRFCpb = 280 ns / 140 ns
- 符合 AEC-Q100 标准