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AT45DB041E-MHN-Y
4-Mbit DataFlash SPI串行闪存，具备低功耗、灵活编程和擦除选项及数据保护功能
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- AT45DB041E-MHN-Y
- 商品编号
- C52146112
- 商品封装
- UDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 单1.65 V - 3.6 V电源供电
- 兼容串行外设接口（SPI）
- 支持SPI模式0和3
- 支持RapidS™操作
- 可对整个阵列进行连续读取
- 最高可达85 MHz
- 低功耗读取选项，最高可达15 MHz
- 时钟到输出时间（tV）最大为6 ns
- 用户可配置页面大小
- 每页256字节
- 每页264字节（默认）
- 页面大小可在工厂预配置为256字节
- 两个完全独立的SRAM数据缓冲区（256/264字节）
- 允许在对主存储器阵列重新编程时接收数据
- 灵活的编程选项
- 字节/页面编程（1至256/264字节）可直接写入主存储器
- 缓冲区写入
- 缓冲区到主存储器页面编程
- 灵活的擦除选项
- 页面擦除（256/264字节）
- 块擦除（2 kB）
- 扇区擦除（64 kB）
- 芯片擦除（4 Mbit）
- 编程和擦除暂停/恢复功能
- 先进的硬件和软件数据保护功能
- 单个扇区保护
- 单个扇区锁定，使任何扇区永久只读
- 128字节一次性可编程（OTP）安全寄存器
- 64字节由工厂编程，带有唯一标识符
- 64字节可由用户编程
- 硬件和软件控制的复位选项
- 符合JEDEC标准的制造商和设备ID读取功能
- 低功耗
- 400 nA超深度掉电电流（典型值）
- 3 μA深度掉电电流（典型值）
- 25 μA待机电流（典型值）
- 7 mA活动读取电流（典型值，15 MHz时）
- 耐久性：
- -40 °C至+85 °C时，100,000次编程/擦除循环
- -40 °C至+125 °C时，10,000次编程/擦除循环
- 数据保留时间：20年
- 符合全工业温度范围
- 环保（无铅/无卤化物/符合RoHS标准）封装选项
- 8引脚SOIC（150密耳宽和208密耳宽）
- 8焊盘超薄DFN（5×6×0.6 mm）
- 晶圆形式裸片（可联系工厂获取供应情况）