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RCP02N12
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 268W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品特性
- 极低的导通状态下漏源电阻（RDS(on)）
- 出色的栅极电荷与导通状态下的漏源电阻乘积（品质因数）
- 出色的低输入电容（Ciss）
- 高稳健性和可靠性
- 提高最大电流承载能力
- 低功耗、高功率密度
- 易于并联
应用领域
- 交直流快速充电器的同步整流
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）