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IRL640A-VB
N沟道；电压：200V；电流：30A；导通电阻：110(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRL640A-VB
- 商品编号
- C52110049
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.98克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 脉宽调制(PWM)优化
- 百分百测试栅极电阻(Rg)
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-初级侧开关-N沟道MOSFET
- ISL9N2357D3ST-VB
- ISL9N315AD3ST-VB
- ISL9N327AD3ST-VB
- NP22N055ILE-E1-AY-VB
- NP32N055IDE-VB
- NP34N055SLE-E1-AY-VB
- NTD14N03RT4G-VB
- NTD18N06T4G-VB
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- NTD30N02G-VB
- NTD3817NT4G-VB
- NTD4813NT4G-VB
- NTD5413NT4G-VB
- NTD5414NT4G-VB
- NTDV20N06T4G-VB
- NTLJS3113PTAG-VB
- NTLUS3A18PZCTCG-VB
- NTLUS3A18PZTAG-VB
- NTMD4884NFR2G-VB
- NTMSD6N303R2G-VB
- NTMSD6N303R2SG-VB
- ISL9N2357D3ST-VB
- ISL9N315AD3ST-VB
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- NP22N055ILE-E1-AY-VB
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- NTD24N06T4G-VB
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- NTDV20N06T4G-VB
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