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NTLUS3A18PZCTCG-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-10A；导通电阻：20(mΩ)
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- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTLUS3A18PZCTCG-VB
- 商品编号
- C52110069
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备
- 负载开关
- 电池开关
- 充电器开关
- NTLUS3A18PZTAG-VB
- NTMD4884NFR2G-VB
- NTMSD6N303R2G-VB
- NTMSD6N303R2SG-VB
- NTTFS4H05NTWG-VB
- NTTFS4H07NTAG-VB
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- NVD4809NT4G-VB
- NVD5413NT4G-VB
- NVD5490NLT4G-VB
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- NVTFS5C466NLWFTAG-VB
- NVTFS5C471NLTAG-VB
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