- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQD60N03LTM-VB
N沟道；电压：30V；电流：70A；导通电阻：7(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FQD60N03LTM-VB
- 商品编号
- C52109978
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.201nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 525pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行 Rq 和 UIS 测试
- 符合欧盟 2011/65/EU 号 RoHS 指令
应用领域
- 或门
- 服务器
- DC/DC
- FQP19N20-VB
- CSD19537Q3T-VB
- CSD19537Q3-VB
- HUF75939P3-VB
- HUF76121D3ST-VB
- HUFA76429D3S-VB
- IPD040N03LG-VB
- IPD30N03S2L-20-VB
- IPD30N06S2-15-VB
- IPD30N06S3-24-VB
- IPD40N03S4L-08-VB
- IPF13N03LA-VB
- IRF7904TRPBF-VB
- IRFB4019PBF-VB
- IRFR1205NTRLPBF-VB
- IRFR3303TRLPBF-VB
- IRFR3303TRPBF-VB
- IRFY240C-VB
- IRL640A-VB
- ISL9N2357D3ST-VB
- ISL9N315AD3ST-VB
- FQP19N20-VB
- CSD19537Q3T-VB
- CSD19537Q3-VB
- HUF75939P3-VB
- HUF76121D3ST-VB
- HUFA76429D3S-VB
- IPD040N03LG-VB
- IPD30N03S2L-20-VB
- IPD30N06S2-15-VB
- IPD30N06S3-24-VB
- IPD40N03S4L-08-VB
- IPF13N03LA-VB
- IRF7904TRPBF-VB
- IRFB4019PBF-VB
- IRFR1205NTRLPBF-VB
- IRFR3303TRLPBF-VB
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- IRFY240C-VB
- IRL640A-VB
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