- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDMA008P20LZ-VB
P沟道；电压：-20V；电流：-10A；导通电阻：20(mΩ)
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDMA008P20LZ-VB
- 商品编号
- C52109957
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 19W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- P沟道MOSFET
- 便携式设备
- 负载开关
- 电池开关
- 充电器开关