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OSM1N1P65
OSM1N1P65
- 描述
- 压电陶瓷风扇专用，650V 1A 增强型 N+P 双 MOS
- 品牌名称
- orisilicon(矽源)
- 商品型号
- OSM1N1P65
- 商品编号
- C52108873
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
OSM1N1P65由一个高压N沟道和一个P沟道MOSFET组成，采用8引脚SOIC封装。这是一款采用先进平面DMOS结构的增强型（常开）晶体管。这种组合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性，该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 OSM1N1P65非常适合各种开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。
商品特性
- 650V击穿电压
- 独立的N沟道和P沟道
- N沟道和P沟道电气隔离
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无二次击穿
- 低输入和输出泄漏
- SOP8封装
应用领域
-高压脉冲发生器-放大器-缓冲器-压电换能器驱动器-通用线路驱动器