OSM1N1P65

增强型N沟道和P沟道MOSFET，具有独立通道、电气隔离、低输入电容和快速开关速度，适用于高压脉冲、放大器等应用

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描述: 压电陶瓷风扇专用，650V 1A 增强型 N+P 双 MOS
品牌名称: orisilicon(矽源)
商品型号: OSM1N1P65
商品编号: C52108873
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	1A
	导通电阻(RDS(on))	13Ω@0V；15Ω@10V
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	2V
	栅极电荷量(Qg)	-

商品概述

OSM1N1P65由一个高压N沟道和一个P沟道MOSFET组成,采用8引脚SOIC封装。这是一款采用先进平面DMOS结构的增强型(常开)晶体管。这种组合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力,以及MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特性,该器件不会出现热失控和热致二次击穿现象。 OSM1N1P65非常适合各种开关和放大应用,这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

商品特性

650V击穿电压
独立的N沟道和P沟道
N沟道和P沟道电气隔离
低输入电容
快速开关速度
无二次击穿
低输入和输出泄漏
SOP8封装

应用领域

-高压脉冲发生器-放大器-缓冲器-压电换能器驱动器-通用线路驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	配置	-
	类型	N沟道+P沟道
	输出电容(Coss)	-
	栅极电压(Vgs)	±30V