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SP60N01AGHTO
大电流SGT MOSFET
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- 描述
- 大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：440A,Rdson：0.7mR
- 品牌名称
- Siliup(矽普)
- 商品型号
- SP60N01AGHTO
- 商品编号
- C52037202
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.2198克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 360W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 215nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 14.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 108pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.77nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 快速开关
- 低栅极电荷和导通电阻(Rdson)
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 功率开关应用
- DC-DC转换器
- 电源管理