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SP30N20TQ

VD MOSFET

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描述
VD MOSFET产品,N沟道,耐压:200V,电流:30A,Rdson:82mR
品牌名称
Siliup(矽普)
商品型号
SP30N20TQ
商品编号
C52037575
商品封装
TO-220-3L​
包装方式
管装
商品毛重
2.923667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))82mΩ@10V
耗散功率(Pd)170W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)34nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.567nF
反向传输电容(Crss)23pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)125pF
栅极电压(Vgs)±30V

商品特性

  • 快速开关
  • 低栅极电荷和导通电阻
  • 100%单脉冲雪崩能量测试

应用领域

  • 直流-直流转换器
  • 适用于高频开关和同步整流

数据手册PDF