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MDT08N017RH
MDT08N017RH
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MDT08N017RH
- 商品编号
- C51902195
- 商品封装
- TOLL-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 469W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 183nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.684nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.338nF |
商品概述
MDT08N017RH采用先进的美格纳（Magnachip）MOSFET技术，在导通电阻、快速开关性能和卓越品质方面表现出色。 这些器件还可用于工业应用，如电动汽车（电动自行车）的高功率驱动器、DC/DC转换器和电池管理系统（BMS），以及通用应用。
商品特性
- 美格纳(Magnachip)MOSFET技术
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 100%雪崩、栅极电阻(Rg)、漏源电压变化(△VDS)测试
应用领域
- 电机逆变器
- 电池管理
- 功率逆变器