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MMIS90R1K4PTH
采用先进超结技术的900V N沟道功率MOSFET，具备低EMI和低开关损耗优势
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- 品牌名称
- MagnaChip(美格纳)
- 商品型号
- MMIS90R1K4PTH
- 商品编号
- C51902204
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.663955克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.26Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 474pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 438pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
MMIS90R1K4P是一款功率MOSFET,采用了Magnachip先进的超结技术,可实现极低的导通电阻和栅极电荷。通过使用优化的电荷耦合技术,它将提供更高的效率。这些用户友好型器件不仅能降低开关损耗,还能为设计师带来低电磁干扰(EMI)的优势。
商品特性
- 高速开关和低导通电阻,实现低功率损耗
- 100%雪崩测试
- 环保封装 – 无铅、无卤
应用领域
- 功率因数校正(PFC)电源级
- 开关应用
- 适配器