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TPNTJD4152PT2G
双P沟道增强型MOSFET
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- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPNTJD4152PT2G
- 商品编号
- C51886170
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC | |
| 输入电容(Ciss) | 160pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |