TSD60R180S6Z
TSD60R180S6Z
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- 描述
- TO-252，N沟道，60R180，600V，18A，0.18Ω（Max）
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSD60R180S6Z
- 商品编号
- C51886043
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
卓越的第六代超结MOSFET（S6系列）是先进的高压功率MOSFET。S6系列的主要优势在于低导通电阻、低栅极电荷以及降低振铃倾向。因此，其开关损耗极低，非常适合开关应用。此外，这些用户友好型器件通过集成齐纳二极管，具备更高的耐用性和出色的ESD能力，是设计师的理想选择。
商品特性
- 18A、600V,VGS = 10V时,最大RDS(on)=0.180Ω
- 高速开关和低导通电阻实现低功耗
- 100%雪崩测试
- 齐纳二极管集成
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