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TSSA30DN06
60V N沟道MOSFET
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- 描述
- DFN-8 5*6，双N沟道，30DN06，60V，30A，0.016Ω（Max）
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSSA30DN06
- 商品编号
- C51886044
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
TSSA30DN06采用先进沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)，该器件适用于高性能汽车应用。
商品特性
- 30A,60V,最大导通电阻RDS(ON)=16mΩ
- 双N沟道MOSFET
- 经过100%雪崩测试
- 小尺寸封装(5x6mm),便于紧凑设计
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用
- 电机驱动
- 汽车领域
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