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SM5501
SM5501 30V N 沟道功率 MOSFET
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- 描述
- SM5501 采用了先进的沟槽 MOSFET 技术和低电阻封装，可提供极低的 RDS(oN) 。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。
- 品牌名称
- HICHON(海川)
- 商品型号
- SM5501
- 商品编号
- C51885915
- 商品封装
- PDFN-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
SM5501采用了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,可提供极低的RDS(ON)。该器件是负载开关和电池保护应用的理想选择。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- PDFN3.3*3.3引脚配置
- 低RDS(ON),以最大限度地减少传导损耗
- 低栅极电荷实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100%DVDS测试