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2N7002KV
塑料封装N沟道MOSFET，适用于负载开关和DC/DC转换器，具备低导通电阻、高饱和电流能力和ESD保护
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- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- 2N7002KV
- 商品编号
- C51822182
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 用于低导通电阻(RDS(on))的高密度单元设计
- 电压控制小信号开关
- 坚固可靠
- 高饱和电流能力
- 静电放电(ESD)保护
应用领域
- 便携式设备的负载开关
- 直流-直流(DC/DC)转换器