DTA114TE
数字晶体管(内置电阻)
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- 描述
- 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路(参见等效电路)。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- DTA114TE
- 商品编号
- C51814180
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@1mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@1mA,10mA | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
