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MMBTRA104SS
50V 100mA
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- 描述
- 此系列PNP数字晶体管适用于替换单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管(BRT)包含一个PNP晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该BRT将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用BRT可以同时降低系统成本和节省PCB板空间。适用于高侧开关、反相器及接口电路。
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- MMBTRA104SS
- 商品编号
- C51814210
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 1V@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV | |
| 输入电阻 | 47kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |