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PJM20DN30DN
双N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 2个N沟道，Trench（沟槽型），VDS=30V ID=20A RDS(ON)<15mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<20mΩ@Vgs=4.5V, 通过 100% 雪崩测试
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM20DN30DN
- 商品编号
- C51625750
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 805pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 82pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 103pF |
商品特性
- 先进沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素和锑
- 潮湿敏感度等级3级
应用领域
- 无线冲击
- 锂电池保护
- 手机快充