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PJMG220N40DN
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- N沟道增强型，SGT（屏蔽栅沟槽型）,VDS=40V ID=220A RDS(ON)<1.2mΩ@Vgs=10V,RDS(ON)<1.6mΩ@Vgs=4.5V 通过 100% 雪崩测试
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJMG220N40DN
- 商品编号
- C51625757
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.509nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 148pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.913nF |
商品特性
- 先进的分裂栅沟槽技术
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- 无卤素和锑
- 湿度敏感度等级3级
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
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